特許

J-GLOBAL ID：200903070670944968

膜磁石の形成方法

発明者： 山下 慎次 ,  京良 裕行 ,  加来 久幸
出願人/特許権者： 株式会社安川電機
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148756
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151226
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【構成】 膜磁石の製造方法において、膜厚方向に異方性を持つ5μm未満のR-Fe-B(RはYを含む希土類元素)磁石層と厚さ約10〜400オングストロームの金属層とを交互に積層して形成するか、または、膜厚方向に異方性を持つR-Fe-B磁石層を5μm未満に形成した後、一定時間休止し、再び5μm未満形成する間欠的成膜方法により積層して形成している。【効果】 合計の膜厚が厚くなっても膜厚方向に異方性を有する高エネルギー積の膜磁石を得られるので、膜磁石の用途が広がり、磁気を応用した装置の高性能化、小型化が可能となる。

請求項（抜粋）：

希土類元素を含む膜磁石をスパッタリング法で形成する方法において、膜厚が約10〜400オングストロームの金属層と膜厚方向に異方性を持つ5μm未満のR2 Fe14B(RはYを含む希土類元素)合金層とを交互に積層することを特徴とする膜磁石の形成方法。

IPC (4件)：

H01F 41/18 ,  C22C 38/00 303 ,  C23C 14/34 ,  H02K 15/03