特許
J-GLOBAL ID:200903070673945639
ヒートシンク材及び本ヒートシンク材と半導体との接着方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
河備 健二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-211913
公開番号(公開出願番号):特開平10-041444
出願日: 1996年07月23日
公開日(公表日): 1998年02月13日
要約:
【要約】【課題】 半導体用のヒートシンク材において、薄い接着層でありながら、ボイドなどが入らない確実な接着層を形成し得るヒートシンク材及びその接着層を形成する接着方法を提供すること。【解決手段】 ヒートシンクの材質を多孔質材料からなるものとする。また、半導体とヒートシンク材とを接着するに際し、高分子接着剤を上記ヒートシンク材の空孔に含浸させて、10μm以下の薄い接着層を形成させる接着方法。
請求項(抜粋):
半導体用のヒートシンク材において、多孔質材料からなることを特徴とするヒートシンク材。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 23/36 M
, H01L 23/40 F
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