特許

J-GLOBAL ID：200903070683790463

半導体装置およびその製造方法

発明者： 吉本 幸郎 ,  石見 隆行
出願人/特許権者： 株式会社三井ハイテック
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-154445
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004150
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 製造が容易であってかつ、高集積化、高精度化に際しても、実装が容易で信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の第1の特徴は、裏面側に導体パターン1を具備してなる絶縁性テープ2と、前記導体パターン1と電気的に接続せしめられた半導体チップ3と、前記絶縁性テープの裏面側の前記導体パターン上に、前記導体パターンと交差するように配設された帯状導体8と、前記導体パターンに接続せしめられ、前記表面に突出せしめられた半田ボール5とを具備したことにある。

請求項（抜粋）：

裏面側に導体パターンを具備してなる絶縁性テープと、前記絶縁性テープの裏面側に貼着せしめられた支持基板と、前記導体パターンと電気的に接続せしめられた半導体チップと、前記絶縁性テープの裏面側の前記導体パターン上に、前記導体パターンと交差するように配設された帯状導体と、前記導体パターンに接続されるとともに、表面に突出せしめられた半田ボールとを具備したことを特徴とする半導体装置。