特許

J-GLOBAL ID：200903070684491567

埋め込み配線の形成方法

発明者： 宮田 幸児
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395688
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197621
出願日： 2001年12月27日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 配線を埋め込む絶縁膜として、密着性の低い絶縁膜を用いて半導体基板上に埋め込み配線法(ダマシン法:Damascene)により埋め込み配線を形成する場合でも、ウエハエッジに剥がれが発生しないようにした埋め込み配線の形成方法及び半導体基板を提供する。【解決手段】 配線を埋め込む第1の絶縁膜16として、下地膜14等との密着性の低い低誘電率絶縁膜などを用い、埋め込み金属配線法により埋め込み配線を形成する際に、ウエハエッジ附近の機械的強度の不足を、下地膜と第2の絶縁膜18とで第1の絶縁膜をサンドイッチ状に挟み、かつ第1の絶縁膜の辺縁部を包むことにより防止して、ウエハエッジの剥がれを解消することができる。

請求項（抜粋）：

半導体装置用の埋め込み配線が形成されている半導体基板であって、前記半導体基板上に成膜された、絶縁膜からなる下地膜と、前記半導体基板の周辺縁から内方に第1の幅で周辺に沿った第1の周辺領域を除いて前記下地膜全面に成膜された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜を覆うように、前記第1の絶縁膜上及び前記第1の周辺領域の前記下地膜上に成膜され、前記第1の絶縁膜より前記下地膜との密着性が高い第2の絶縁膜と、前記半導体基板の周辺縁から内方に前記第1の幅より広い第2の幅で周辺に沿った第2の周辺領域を除く領域に設けられ、前記第2の絶縁膜及び前記第1の絶縁膜を貫通して前記下地膜に達する開口部と、前記開口部に埋め込まれた導電性金属層からなる埋め込み配線とを有することを特徴とする半導体基板。

Fターム (38件)：

5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR24 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX12 ,  5F033XX34