特許

J-GLOBAL ID：200903070687029376

プラズマ試料処理法、薄膜及び平面表示装置

発明者： 茶原 健一 ,  若木 政利 ,  鬼沢 賢一 ,  佐藤 忠 ,  川久保 幸雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-188447
公開番号（公開出願番号）：特開2003-003265
出願日： 2001年06月21日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：

【要約】【課題】 荷電粒子照射処理における試料加熱装置を不要とすること。【解決手段】 圧力100Pa以上のガス中で、試料への電子ビーム照射及び電子ビームの照射によってガスが電離生成したプラズマ照射を行う。【効果】 試料全体の加熱が試料と試料周囲ガスとの熱交換によって抑制され、周囲のガス圧力の制御により、処理中の試料温度を所望値に制御できる。

請求項（抜粋）：

試料を配置する処理室に100Pa以上の圧力のガスを導入する工程と、電子ビーム源と処理室の間に配された伝送路を通して電子ビームを処理室へ導入する工程と、電子ビームを前記試料へ照射する工程及び前記電子ビームの照射による処理室内の前記ガスの電離により生成したプラズマを前記試料に照射する工程とからなるプラズマ試料処理法。

IPC (5件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/288 ,  H05H 1/46 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503

FI (5件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/288 Z ,  H05H 1/46 A ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503 B

Fターム (30件)：

2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JB16 ,  2H092KA04 ,  2H092KA12 ,  2H092MA08 ,  2H092MA18 ,  2H092NA25 ,  4K030AA24 ,  4K030BA42 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030FA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB29 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD66 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104GG20 ,  4M104HH03 ,  5G323BB03 ,  5G323BB04 ,  5G323BB05 ,  5G323BB06