特許
J-GLOBAL ID：200903070689063059
サファイア基板のサーマル・アニーリング方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-241377
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129651
出願日： 1996年08月23日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】高品質の膜を成長させるためには、市販のサファイア基板の表面が非常に不均一なため問題がある。 そのために、滑らかで真直ぐな境界を含む適切に結晶配列の整ったテラスを有するサファイア基板を提供する方法と装置の提供。さらにその表面に結合した高品質半導体のエピタキシアル・膜を効率よく成長させる方法の提供。【解決手段】本発明は、サファイア基板の表面を従来知られた化学エッチング技法では直接作り出すことが出来ない滑らかで真直ぐな境界を有する適切な結晶配列の整ったテラスを含むように、サファイア基板を充分高い温度でかつ充分長い間特別にアニールすることにより実現する。
請求項（抜粋）：
一表面を有するサファイア基板を用意する段階と、前記サファイア基板の表面が、滑らかで真直ぐな境界を持つ結晶配列の揃った明確なテラスを含むように、前記サファイア基板を充分高温で充分長時間アニールする段階と、半導体材料のエピタキシアル・膜をアニール後の前記サファイア基板と結合させる段階と、を含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/324 C
, H01L 33/00 C
