特許

J-GLOBAL ID：200903070689590601

イオン注入方法およびこれを用いたMOS型トランジスタの形成方法

発明者： 新村 忠 ,  清水 俊雄 ,  齋藤 秀一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071174
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270375
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 一回のイオン注入のみでLDD構造を形成可能なイオン注入方法を提供すること。【解決手段】 被処理物11表面にマスク21を形成し、このマスク21を介してイオンを打ち込むイオン注入方法において、端部に向かうにつれて、厚さが薄くなるように形成されたマスク21を用いてイオン注入を行うことを特徴とするイオン注入方法である。

請求項（抜粋）：

被処理物表面にマスクを形成し、このマスクを介してイオンを打ち込むイオン注入方法において、マスク形状を端部に向かうにつれて厚さが薄くなるように形成したことを特徴とするイオン注入方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/266 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/265 604 M ,  H01L 21/265 M ,  H01L 29/78 301 L