特許

J-GLOBAL ID：200903070696209417

半導体積層構造の製造方法および半導体発光素子の製造方法

発明者： 河角 孝行 ,  今西 大介 ,  奥山 浩之 ,  戸田 淳 ,  石橋 晃
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-086091
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264903
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 結晶性に優れたII-VI族化合物半導体からなる半導体積層構造を製造し、長寿命の半導体発光素子を実現する。【構成】 有機金属化学気相成長法によりn型GaAs基板41上に少なくとも一層のバッファ層、例えばn型GaAsバッファ層42やn型ZnSeバッファ層43などを成長させる。次に、n型GaAs基板41を真空搬送路を通して有機金属化学気相成長装置の反応管から分子線エピタキシー装置の真空容器内に移し、バッファ層上にII-VI族化合物半導体を成長させる。

請求項（抜粋）：

有機金属化合物を原料として用いた気相成長法により基板上に少なくとも一層のバッファ層を成長させ、上記バッファ層上に分子線エピタキシー法によりII-VI族化合物半導体を成長させるようにしたことを特徴とする半導体積層構造の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 D