特許
J-GLOBAL ID：200903070702113443
磁電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-076484
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274386
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 実用においてより広範囲な温度範囲で、より広範囲な磁界中でも安定に動作するGMR効果を用いた磁電変換素子を提供することにある。【構成】 基板5上に形成された、少なくとも第1磁性層1/非磁性層3/第2磁性層2/希土類-遷移金属合金層4より構成され、上記第2磁性層2と希土類-遷移金属合金層4とは交換結合し、かつ第2磁性層2と希土類-遷移金属合金層4全体の磁化容易方向が膜面内にあり、また希土類-遷移金属合金層4の組成は室温で希土類優勢であり、更に非磁性層3の主成分はCuであって、かつ層厚が1.5nm以上であるとする。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された、少なくとも第1磁性層/非磁性層/第2磁性層/希土類-遷移金属合金層より構成され、上記第2磁性層と希土類-遷移金属合金層とは交換結合し、かつ第2磁性層と希土類-遷移金属合金層全体の磁化容易方向が膜面内にあり、また希土類-遷移金属合金層の組成は室温で希土類優勢であり、更に非磁性層の主成分はCuであって、かつ層厚が1.5nm以上であることを特徴とする磁電変換素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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