特許
J-GLOBAL ID：200903070702844200
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-338684
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186075
出願日： 1994年12月29日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の段差底部にカバレッジよく窒化チタン膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 スパッタリング法によってチタン原子を得て、これに電子線を照射してイオン化する。このチタンイオンを、半導体基板10に負のバイアスを加えて半導体基板に略垂直に入射させる。これにより、チタンイオンは半導体基板10上に堆積し、コンタクトホール14の底部においても平坦で十分な膜厚を有するチタン膜16を形成できる。次に、このようにしてチタン膜を半導体基板に形成した後、チタン膜を窒化することにより、窒化チタン膜18を形成する。この窒化の方法としては、窒素又はアンモニア雰囲気とされた炉内に半導体基板を入れ、高温下で熱窒化の反応を起こさせる方法や、窒化イオンを半導体基板に打ち込む方法が用いられる。
請求項（抜粋）：
スパッタリング法によりチタンをスパッタする工程と、前記スパッタされたチタンをイオン化してチタンイオンを生成する工程と、前記チタンイオンを前記半導体基板に略垂直に入射させることにより前記半導体基板上にチタン膜を堆積させる工程と、前記チタン膜を窒化することにより窒化チタン膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/203
, C23C 14/06
, C23C 14/34
, C23C 14/58
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 S
, H01L 21/90 D
