特許
J-GLOBAL ID：200903070703540469

単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子

発明者：
渡辺 健一

渡辺 健一 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-130420
公開番号（公開出願番号）：特開2005-314121
出願日： 2004年04月26日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】従来のステッパーのような複雑な光学系を持つ高価な設備を使うことなく、多孔性陽極酸化アルミナを用いて、サファイア基板の表面にミクロンからサブミクロンオーダーの凹凸または窪みを量産性良く形成する。【解決手段】主面上に複数の凹凸または窪みを有する単結晶サファイア基板の製造において、単結晶サファイア基板上に形成した多孔性陽極酸化アルミナをマスクとしてエッチングを行うことにより凹凸または窪みを形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面上に複数の凹凸または窪みを有する単結晶サファイア基板の製造方法において、単結晶サファイア基板上に形成した多孔性陽極酸化アルミナをマスクとしてエッチングを行うことにより前記凹凸または窪みを形成することを特徴とする単結晶サファイア基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B29/20 ,  H01L21/306 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343
FI (4件)：
C30B29/20 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  H01L21/306 D
Fターム (18件)：
4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077FG02 ,  4G077FG06 ,  4G077FG18 ,  4G077HA12 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043GG10 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06 ,  5F173AP32 ,  5F173AP47
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)

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