特許
J-GLOBAL ID：200903070705475281
LEDチップの製造方法および実装方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-241352
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087762
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 歩留りまたは動作の信頼性を向上できるLEDチップの製造方法および実装方法を提供する。【解決手段】 電気絶縁層27aはP型半導体層22aの表面に中間層36aを介して形成されるので、一度形成した電気絶縁層27aを表面側からその下の層が露出するまで削り取ったときに、P型半導体層22を傷つけることがなくなる。このように、いくら削られてもよい中間層36aを形成することで、中間層36aが削られてもその上の電気絶縁層27aを確実に除去する制御を行いやすく、P型半導体層22を傷つけずに、かつP型半導体層22および第2電極層37aの間に残留する電気絶縁層27aを解消できる。よって、LEDチップの歩留りまたは動作の信頼性を向上することができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板の一方側表面に第2導電型半導体層を形成する工程と、次に第1導電型半導体基板の他方側表面に第1電極層を、第2導電型半導体層上に導電性の中間層をそれぞれ形成する工程と、次にマトリクス状に配列して互いに隔てられたチップとなる領域間を一方側表面から、中間層および第2導電型半導体層を貫通して第1導電型半導体基板の途中まで削り取ることによって、溝部を形成する工程と、次に溝部を埋めて中間層上に電気絶縁層を形成する工程と、次に電気絶縁層を一方側表面から中間層が露出するまで削り取ることによって、溝部に残留した電気絶縁層から成る電気絶縁部を形成する工程と、次に中間層および電気絶縁部の上に第2電極層を形成する工程と、次にチップとなる領域間を厚み方向に切断することで、複数のLEDチップを形成する工程とを含むことを特徴とするLEDチップの製造方法。
引用特許：
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