特許

J-GLOBAL ID：200903070706855134

化学的気相析出法による炭化ケイ素の製造方法及び装置

発明者： ローラント ルツプ ,  ヨハネス フエルクル
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-381817
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210600
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 従来技術よりもプロセスガスを高収量で得られるCVDプロセスによる炭化ケイ素(SiC)の製造方法及び装置を提供する。【解決手段】 プロセスガス流2(第1のガス流)から基板4上にCVDプロセスによりSiCを析出する。更にプロセスガス流2を流動方向に完全に囲む希ガスからなる第2のガス流3を形成する。

請求項（抜粋）：

a)ケイ素(Si)及び炭素(C)を供給するための少なくとも1種の作用ガス(SiZ、CY)及び少なくとも1種の担体ガスを含む第1のガス流(2)を基板(4)上に向け、基板(4)上のこの第1のガス流(2)から化学的気相析出(CVD)法により炭化ケイ素を析出し、b)第1のガス流(2)をその流れ方向に平行に実質的に完全に囲む第2のガス流(3)を形成し、c)第1のガス流(2)の流速を第2のガス流(3)の流速よりも大きく設定することを特徴とする炭化ケイ素(SiC)の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/42 ,  C30B 29/36 A