入出力保護回路を備えた半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-032493
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053497
出願日： 1992年02月20日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】入出力保護回路におけるブレークダウン電圧を任意に設定可能とし、ブレークダウン電圧を低くして、外部からの過大の入力信号に対する半導体装置の保護効果を高める。【構成】半導体基体上に形成され、そのドレイン領域に入出力端子が接続されたMOSトランジスタを有する入出力保護回路において、そのドレイン領域4,6に接してこれらドレイン領域の導電型とは逆導電型の高濃度不純物拡散層10,11を有する。このように逆導電型の高濃度不純物拡散層を設けることで、入出力端子BPに接続されたMOSトランジスタのドレイン領域におけるブレークダウン電圧を、MOSトランジスタのしきい値電圧とは独立して設定することが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に形成され、そのドレイン領域に入出力端子が接続されたMOSトランジスタと前記ドレイン領域に接して該ドレイン領域の導電型とは逆導電型の高濃度不純物拡散層を有することを特徴とする入出力保護回路を備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 27/04 , H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 29/78 301 K , H01L 27/06 311 C

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