特許
J-GLOBAL ID：200903070707755168
集積光検出器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-244129
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153989
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】MSMフォトコンダクタの性能向上を図る。【構成】金属半導体(MSM)デバイスは、半導体基板1上にインターディジタル構造の金属電極2,3を有する。フォトコンダクタとして具現する場合、光伝導領域4は、入射放射に対する共振キャビティを形成して応答性を改善する層5,6により挟まれる。フォトダイオードおよびフォトコンダクタのいずれにもなりうる他の実施例では、電極は光応答層4の厚さ内部まで伸びて形成される。偏光への感応性を低減するには、電極は相互に直交する方向に伸びた複数組の電極として配置する。電極をグループごとに接続することにより、入射放射の偏光に対して感応性を有するが振幅に対しては殆ど感応性を有さないようにすることができる。
請求項（抜粋）：
入射光放射に応答して電荷キャリアを生成する光伝導領域と、前記入射光放射に応答して生成された電荷キャリアを収集するよう前記光伝導領域に電界を印加する電極列と、前記光伝導領域を含む光学的共振キャビティを定める手段とを備え、このキャビティ内で前記入射光放射が共振して前記キャリアを生成するMSMフォトコンダクタデバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 C
, H01L 31/10 H
