特許

J-GLOBAL ID：200903070710146849

リフト-オフプロセスを利用した半導体素子におけるセルフアライン拡散バリアの製造方法及び拡散バリアを有する半導体素子

発明者： マダフ メーラ
出願人/特許権者： イーストマン・コダツク・カンパニー
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035986
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029239
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：

【要約】【目的】 セルフアラインリフト-オフ工程を使用して導電性セルフアライン拡散バリアを形成する。【構成】 中間補助コーティング18上に形成したホトレジスト層20のパターンに基づき誘電体層12に穴をあける。次にこの穴の中及びホトレジスト層20上に拡散バリア物質22a,22bをデポジットする。次に中間補助コーティング18、ホトレジスト層20、拡散バリア物質22aをリフトオフする。最後に穴の中及び周囲にアルミニウム層16を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に誘電体層を形成する工程と;誘電体層上に中間補助コーティングを形成する工程と;前記コーティング上にホトレジスト層を形成する工程と;前記中間補助コーティングを攻撃することによりホトレジスト層をアンダカットするデベロッパを用いて、ホトレジストに穴を作製する工程と;誘電体中に基板への穴を形成するために、ホトレジスト層及び中間補助コーティングの中の穴を通して誘電体層をプラズマエッチングする工程と;誘電体中の穴の中及びホトレジスト層上へ、導電性拡散バリア物質をデポジットする工程と;前記プラズマエッチングする工程で形成した穴にセルフアラインする拡散バリアを形成するために、中間補助コーティングを溶解する溶媒を用いて、ホトレジスト層及びホトレジスト層上の拡散バリア物質をリフトオフする工程と;誘電体層中の穴の中の拡散バリア上にアルミニウムコンタクトを形成する工程を有することを特徴とする、半導体素子におけるセルフアライン拡散バリアの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  G03F 7/26 513