半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-155426
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004190
出願日： 1996年06月17日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】スルーホールを自己整合で形成する半導体装置の構造及びその製造方法に関し、製造工程を複雑にすることなく、ゲート電極上に開口するスルーホールをSACと同時に形成する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10と、半導体基板10上に形成された素子領域を画定する素子分離膜12と、素子領域に形成された一対の拡散層28と、一対の拡散層28の間の半導体基板10上に、第1の絶縁膜18を介して形成されたゲート電極26と、ゲート電極26の側壁と、ゲート電極周縁から所定の距離内側までのゲート電極上面の領域を覆うエッチングストッパ膜36とにより半導体装置を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された素子領域を画定する素子分離膜と、前記素子領域に形成された一対の拡散層と、前記一対の拡散層の間の前記半導体基板上に、第1の絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側壁と、前記ゲート電極周縁から所定の距離内側までの前記ゲート電極上面の領域とを覆うエッチングストッパ膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/78 , H01L 21/266 , H01L 21/3065 , H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 29/78 301 X , H01L 21/265 M , H01L 21/302 J , H01L 21/90 C , H01L 21/94 A , H01L 27/10 621 C , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (11件)

セルフアライン・コンタクト孔の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-319550 出願人：日本電気株式会社
特開平4-196228
特開昭59-008357

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