特許
J-GLOBAL ID：200903070712683078
高周波増幅用半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318856
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160286
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】 パッケージ内の板状の凸部とキャップを遮断するための気密封止を確実、かつ容易にした高周波増幅用半導体装置を得る。【構成】 パッケージ1内の凸部2をシールリング部4より低く形成し、さらに前記凸部2の上面にV溝3aを形成するとともに、前記V溝3aに係合する突起部7を設けたキャップ6により気密封止したことを特徴としている。【効果】 半田量で調整することなく、パッケージ内の凸部とキャップが遮断可能となり、そのため安定して高周波増幅器のカットオフ周波数を上げることができ、安定した特性を得ることができる。
請求項（抜粋）：
内部に半導体チップが装着され、外周にシールリング部が設けられたパッケージ内に板状の凸部を設け、前記シールリング部にキャップを装着して前記パッケージ内の凸部とキャップとの間を遮断する高周波増幅用半導体装置において、前記凸部の高さを前記シールリング部より低く形成するとともに、前記凸部の上面を溝型に形成し、この溝型と係合する板状の突起部を前記キャップに設け、前記溝型と突起部とを当接させた状態でシールリング部とキャップとを気密封止したことを特徴とする高周波増幅用半導体装置。
IPC (2件)：
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