特許

J-GLOBAL ID：200903070713208241

シリコンウェハーと炭素材との複合材

発明者： 川村 憲明 ,  津島 栄樹
出願人/特許権者： 株式会社先端材料
代理人 (1件)： 池浦 敏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-363679
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233475
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 高速処理用あるいは高出力用半導体パッケージの半導体素子部分の発熱による温度上昇を防ぐために、銅、アルミニウム等の安価な金属基板を直接接着した場合にも、半導体パッケージ製作工程及び使用時の熱ショック、熱サイクルに対し、剥がれ、クラック等の欠陥を生じさせない複合材を提供する。【解決手段】 シリコンウェハー又は化合物半導体ウェハー、接着層及び熱応力緩和炭素材(好ましくは厚み方向の熱伝導率が50W/m・K以上である厚さ0.1〜1mmの炭素材からなる)の平板からなるものとする。

請求項（抜粋）：

シリコンウェハー又は化合物半導体ウェハーの一方の面上に接着層を介して熱応力緩和炭素材の平板を設けてなることを特徴とする複合材。

IPC (4件)：

H01L 23/373 ,  C04B 37/00 ,  C04B 37/02 ,  H01L 21/02

FI (4件)：

H01L 23/36 M ,  C04B 37/00 A ,  C04B 37/02 A ,  H01L 21/02 B