特許

J-GLOBAL ID：200903070717793092

レジストパターンの形成方法

発明者： 石丸 昌晃
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058568
公開番号（公開出願番号）：特開平5-265223
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【構成】 中層のレジスト感度は上層の感度より高く、 かつ下層の感度よりも高くなるように感度選択した上中下のレジスト三層を基板上に順次積層し所定の電子線パターン照射及び現像を行い、中層の開口寸法が下層及び上層よりも大なる断面形状を有するレジストパターンを形成して、前記現像処理後に前記レジストの軟化する温度以上の熱処理を行い上層レジストの開口を広げ中層レジストの開口と等しく、或はそれより僅かに小さくすることを特徴とし、更に熱処理工程の前においてレジストパターンに180〜350nm波長の紫外線を照射し熱処理による上層レジストの開口の広がりの制御を行う。【効果】 中層、上層レジストの開口寸法の精密な制御と、各層の開口寸法を独立して制御可能なので希望形状を容易に作成できる。又、ゲート電極の基板へ接する部分の寸法を短縮しつつ、上部低抵抗部分の寸法を自由に設定できる。

請求項（抜粋）：

中層のレジスト感度は上層のレジスト感度より高く、 かつ下層のレジスト感度よりも高くなるように感度を選択したレジストからなる上、中、下のレジスト三層を、 基板上に順次積層し、これらのレジスト層に所定の電子線パターン照射及び現像を行い、中層の開口寸法が下層及び上層よりも大なる断面形状を有するレジストパターンを形成したものにおいて、前記現像処理の後に、前記レジストの軟化する温度以上の熱処理を行うことにより、上層レジストの開口を広げ、中層レジストの開口と等しく、或いは、それより僅かに小さくすることを特徴とするレジストパターン作成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-275958
  
• 特開平2-288325
  
• 特開昭64-082629
  
• 特開昭61-271834