特許
J-GLOBAL ID:200903070717980437
化合物半導体薄膜の形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-167578
公開番号(公開出願番号):特開平7-029824
出願日: 1993年07月07日
公開日(公表日): 1995年01月31日
要約:
【要約】【目的】超微細化構造の2-6族化合物半導体薄膜を形成する。【構成】Zn原子層3とSe原子層4とを積層してZnSe超薄膜を形成した後電子線5を選択的に照射してSe原子6を離脱させ、しかる後、Znの分子線を全面に照射してSe原子層4の存在する部分にのみZn原子層8を選択成長させる工程を繰返すことによりパターン化された超微細化構造の2-6化合物半導体薄膜を形成する。
請求項(抜粋):
化合物半導体基板上に2-6族化合物半導体バッファー層を形成する工程と、前記2-6族化合物半導体バッファー層の上にALE法により2族原子層の1層と6族原子層の1層とを順次成長させて積層する工程と、前記6族原子層に電子線を選択的に照射し照射された部分の6族原子のみを離脱させ前記2族原子層を露出させる第1の工程と、前記電子線の照射を停止した後全面に2族元素の分子線を照射して前記6族原子層の上にのみ2族原子層を選択成長させ続いて2族原子層の全面に6族原子層を成長させる第2の工程と、前記第1の工程と第2の工程とを順次交互に繰返してパターン化された微細構造の2-6族化合物半導体超薄膜を順次積層する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の形成方法。
IPC (5件):
H01L 21/203
, H01L 21/263
, H01L 21/268
, H01L 21/36
, H01L 29/225
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開平2-150018
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特開平2-307894
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特開平3-177016
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特開平3-214742
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特開平2-307895
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