半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019635
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218450
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】本発明は、面積を縮小でき、大容量化、高集積化に適し、且つ高速動作化が可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】本発明は、ドレイン領域のn+ 高濃度領域121とソース領域のn+ 高濃度領域122の間に形成したチャネル領域123と、このチャネル領域123に対応し、相互にオーバーラツプして設けた、ヒステリシス特性を有する第1の絶縁層13を介して形成したメモリゲート電極MG1,MG2,MG3,MG4及びヒステリシス特性のない第2の絶縁層14を介して形成した選択ゲート電極SG1,SG2とより構成する。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域とソース領域の間に連続して形成されたチャネル領域と、このチャネル領域に対応し、相互にオーバーラツプして設けられた、ヒステリシス特性を有する第1の絶縁層を介して形成された複数のメモリゲート電極及びヒステリシス特性のない第2の絶縁層を介して形成された選択ゲート電極とを具備したことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/02 , G11C 16/04 , H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 , G11C 17/00 307 D , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-034379
特開昭62-291969
特開平2-114570

前のページに戻る