特許

J-GLOBAL ID：200903070727760818

高純度ハフニウム錯体Hf(DPM)4の製造方法

発明者： 小林 一三 ,  大沢 正典 ,  平 博司
出願人/特許権者： 日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-045009
公開番号（公開出願番号）：特開2002-249455
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 CVD法によるハフニウム含有金属酸化物膜を形成するための原料として、ハフニウム錯体Hf(DPM)4を超高純度で再現性良く製造する方法の提供。【解決手段】 不活性ガス雰囲気下、精製・脱水した有機溶媒中に塩化ハフニウムとジピバロイルメタンを入れ、加熱還流して直接反応せしめると共に溶液を濃縮し、次いで濃縮した溶液を冷却して、得られる結晶を再結晶によって十分精製することによって、金属不純物含有量が0.01wt.ppm以下であり、純度が99.99999wt.%以上であるHf(DPM)4の構造式で表される高純度ハフニウム錯体の製造方法。

請求項（抜粋）：

不活性ガス雰囲気下、精製・脱水した有機溶媒中に精製塩化ハフニウムと精製ジピバロイルメタンを入れ、加熱還流して直接反応せしめた後冷却し、析出して得られる粗結晶を再結晶によって十分精製することを特徴とする分子式(I)で表される高純度ハフニウム錯体の製造方法。Hf(DPM)4 ...... (I)

IPC (5件)：

C07C 45/77 ,  C07C 49/92 ,  C07F 7/00 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40

FI (5件)：

C07C 45/77 ,  C07C 49/92 ,  C07F 7/00 Z ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40

Fターム (24件)：

4H006AA02 ,  4H006AC90 ,  4H006AD15 ,  4H006BB11 ,  4H006BB12 ,  4H006BB14 ,  4H006BB61 ,  4H006BC10 ,  4H006BC51 ,  4H006BE62 ,  4H049VN07 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ24 ,  4H049VR44 ,  4H049VS12 ,  4H049VU24 ,  4H049VV02 ,  4H049VV03 ,  4H049VV05 ,  4H049VV22 ,  4H049VW02 ,  4K030AA11 ,  4K030BA10 ,  4K030BA42