特許
J-GLOBAL ID：200903070730210845
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235326
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050831
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 電流ブロック層の結晶性を改善し、転位を抑制して信頼性の高い半導体レーザを提供する。【解決手段】 クラッド層7のリッジ状突出部20の側面に、平坦面33と実質的に一定の角度θ1をなす上方側面31に加え、この角度よりも小さい角度θ2をもって平坦面と接続する下方側面32を形成し、突出部の高さH1に対する下方側面の高さH2の比率H2/H1を0.2以上とする。下方側面から成長した電流ブロック層は、上方側面から成長した層よりも結晶性が改善されたものとなる。H2は100nm以上、H1は500nm以下がそれぞれ好適である。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された多層膜とを含み、前記多層膜が、前記半導体基板側から、第1導電型クラッド層、レーザ活性層および第2導電型クラッド層をこの順に含み、前記第2導電型クラッド層の表面に平坦面とリッジ状の突出部とが存在し、このリッジ状の突出部の側面および前記平坦面上に、前記第2導電型クラッド層よりも屈折率が小さい第1導電型の電流ブロック層が形成された半導体レーザであって、前記突出部の側面が、前記平坦面と実質的に一定の角度をなす上方側面と、前記角度よりも小さい角度をもって前記平坦面と接続する下方側面とを有し、前記突出部の前記平坦面からの高さH1に対する前記下方側面の前記平坦面からの高さH2の比率H2/H1が0.2以上であることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (14件)：
5F073AA26
, 5F073AA45
, 5F073AA55
, 5F073AA83
, 5F073BA05
, 5F073CA13
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073CB10
, 5F073CB19
, 5F073DA05
, 5F073DA23
, 5F073EA06
, 5F073EA29
