特許

J-GLOBAL ID：200903070732590270

インダクタ素子

発明者： 池田 毅 ,  中西 努
出願人/特許権者： 株式会社ティ・アイ・エフ
代理人 (1件)： 布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197209
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045739
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 簡単にインダクタンスそのものを変更することができ、しかも容易に製造可能なインダクタ素子を提供すること。【構成】 インダクタ素子100は、半導体基板10上に形成されたインダクタ導体12および制御用導体14と、これらを覆うように形成された絶縁性磁性体18とを含んで構成されている。制御用導体14に流すバイアス電流を変えると、絶縁性磁性体18の飽和磁化特性が変化し、インダクタ導体12が有するインダクタンスが変化する。これら各導体12,14および絶縁性磁性体膜18は、薄膜形成技術等を利用して形成される。

請求項（抜粋）：

基板上にほぼ平面状に形成されたインダクタ導体と、前記基板上であって前記インダクタ導体により生じる磁束を囲うように形成されており、所定の直流バイアス電流が流される制御用導体と、前記インダクタ導体と前記制御用導体とを覆うように形成された絶縁性磁性体と、を備え、前記制御用導体に流す直流バイアス電流を変えることにより、前記インダクタ導体の両端に現れるインダクタンスを変えることを特徴とするインダクタ素子。

IPC (2件)：

H01F 17/00 ,  H01F 19/08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 平面型磁気素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-188325   出願人：株式会社東芝