特許
J-GLOBAL ID：200903070742333128
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174359
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021235
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 多層金属配線の配線間接続孔の抵抗低減化。【構成】 第1金属配線層1と、第2金属配線層2と絶縁膜3に選択的に形成された接続孔4において、接続孔4の下部に接する第1金属配線層の表面が凹形になって、埋め込み金属5との接触面積を増加させ接触抵抗を低減させた半導体装置。
請求項（抜粋）：
第1の金属配線層と、該第1の金属配線層を覆う絶縁膜と、該絶縁膜上に搭載される第2の金属配線層と、前記絶縁膜に穿設され、前記第1および第2の金属配線層とを互いに連通する接続孔と、該接続孔に埋設され、前記第1および第2の金属配線層とを互いに電気的に接続する埋設金属部とを有する半導体装置において、前記第1の金属配線層に凹部を設け、該凹部に前記接続孔の下端を配してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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特開昭49-005283
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特開昭62-035645
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特開昭49-005283
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