特許

J-GLOBAL ID：200903070743814669

半導体装置の製造方法およびスパッタリング装置

発明者： 吉本 和也
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-313913
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135722
出願日： 1999年11月04日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】 高温スパッタリング法を用いて、アルミニウムを主とする合金膜を成膜したときの膜表面のモフォロジーの悪化を抑制する。【解決手段】 半導体基板1の上に、SiO2 よりなる絶縁膜4を堆積し、コンタクトホール5を選択的に開口する。スパッタリング法を用いて、コンタクトホール5の内壁および絶縁膜4上にTi膜6を堆積する。Ti膜6上の全面にAl-Cu合金膜7aをスパッタリング法によつて堆積する。基板裏面に500°Cに加熱したArガスを吹き付けながら、Al-Cu合金膜7a上にAl-Cu合金膜7bをスパッタリング法によつてコンタクトホール5内を埋め込みながら堆積する。基板裏面に0°Cに冷却したArガスを吹き付けながら、Al-Cu合金膜7b上の全面にAl-Cu合金膜7cをスパッタリング法によつて堆積する。Al-Cu合金膜7aからAl-Cu合金膜7cまでの成膜は、同一チャンバにおいて連続して行う。

請求項（抜粋）：

下層配線あるいは拡散層領域上に層間絶縁膜を有する基板の前記層間絶縁膜にコンタクトホールを開口し、スパッタリング法によりアルミニウムを主材料とする金属配線層を前記層間絶縁膜上に成膜しながら前記コンタクトホールに埋め込んだ後、前記金属配線層をエッチングして上層配線を形成する半導体装置の製造方法であって、前記コンタクトホール内を埋め込む状態に、前記層間絶縁膜上に、アルミニウム粒子の流動が生じ得る温度以上でかつアルミニウムを主とする材料の融点以下の高温の温度条件に前記基板を加熱しながらアルミニウムを主とする材料からなり前記金属配線層を構成する第1の配線層を成膜する第1配線層形成工程と、前記第1の配線層上に、前記高温の温度条件よりは低い温度であって前記第1の配線層中のアルミニウム合金結晶粒の成長を起こさない低温の温度条件に前記基板を冷却した後でアルミニウムを主とする材料からなり前記金属配線層を構成する第2の配線層を成膜する第2配線層形成工程とを含み、前記第1配線層形成工程および前記第2配線層形成工程を大気曝露することなく順次行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 N

Fターム (35件)：

4M104BB14 ,  4M104DD06 ,  4M104DD16 ,  4M104DD23 ,  4M104DD32 ,  4M104DD37 ,  4M104DD39 ,  4M104DD41 ,  4M104DD42 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104HH12 ,  5F033HH09 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ88 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033WW03 ,  5F033XX01