特許

J-GLOBAL ID：200903070744473580

半導体薄膜の結晶化方法およびそれを用いた薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 田中 勉 ,  大堀 達也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150764
公開番号（公開出願番号）：特開平10-340855
出願日： 1997年06月09日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体薄膜の結晶化方法およびそれを用いた薄膜トランジスタの製造方法に関し、非単結晶半導体薄膜の結晶化工程におけるホウ素汚染を防止する。【解決手段】 非単結晶半導体薄膜2の表面に、1cm2 当たり1×1010原子以上の酸素5を導入すると共に、エネルギービーム6を照射することによって、非単結晶半導体薄膜2を結晶化する。

請求項（抜粋）：

非単結晶半導体薄膜の表面に、1cm2 当たり1×1010原子以上の酸素を導入すると共に、エネルギービームを照射することによって、前記非単結晶半導体薄膜を結晶化することを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 627 G