特許
J-GLOBAL ID：200903070747434585
単結晶成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235619
公開番号（公開出願番号）：特開平8-104591
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 LEC法によりリネージのない良好な化合物半導体単結晶を育成することのできる単結晶成長装置を提供する。【構成】 るつぼ2の上方から封止剤4の上面近傍まで垂下して育成結晶7の側方を覆うスカート部6Aを有する熱遮蔽体6を備えており、結晶側面及び封止剤上面からの放熱を抑制し、結晶外周部の温度低下を防止して結晶7と原料融液8との固液界面を下凸状に保つ。スカート部6Aの内径X1 は、直胴部の直径の1.1〜1.6倍、より好ましくは1.2〜1.4倍の大きさである。スカート部6Aの下端と封止剤4の上面との距離Lは、0mmよりも大きく2mm以下、より好ましくは0.5〜1.5mm以下である。スカート部6Aの熱容量は、室温において30〜100J/K以下、より好ましくは40〜80J/K以下である。【効果】 結晶育成中、固液界面形状が下凸状に保たれ、リネージの発生が防止されるので、育成した単結晶から取得できるウェハの歩留まりが向上する。
請求項（抜粋）：
るつぼ内に原料及び封止剤を入れてヒータにより加熱、融解し、その原料融液表面に種結晶を接触させて徐々に引き上げることにより化合物半導体単結晶の成長を行なう単結晶成長装置において、前記るつぼの上方から、融解した前記封止剤の上面近傍まで垂下して育成結晶の側方を覆う筒状のスカート部を有する熱遮蔽体を備えたことを特徴とする単結晶成長装置。
IPC (3件)：
C30B 15/00
, C30B 29/40 501
, H01L 21/208
