特許
J-GLOBAL ID：200903070747524967
半導体製造装置のクリーニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-144383
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343330
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造装置のクリーニング方法、特に、シリコンウェーハ上に高融点金属を気相成長するときに、シリコンウェーハを載置する石英サセプタ上に堆積した高融点金属を除去する方法に関し、石英サセプタを加熱するランプ等の加熱源の設定温度を従来より低くして石英サセプタ上に堆積した高融点金属を除去することのできるクリーニング方法を提供することを目的とする。【構成】 ウェーハを載置する石英サセプタ4上に堆積した高融点金属を、石英サセプタ4を加熱して三フッ化窒素を接触させて除去する半導体製造装置のクリーニング方法において、石英サセプタ4上に、高融点金属の堆積した領域を覆う大きさのウェーハ6または熱変形しにくい金属板を載置して石英サセプタ4を加熱するようにする。
請求項（抜粋）：
ウェーハを載置する石英サセプタ(4)を加熱して三フッ化窒素に接触させて、前記石英サセプタ(4)上に堆積した高融点金属を除去する半導体製造装置のクリーニング方法において、前記石英サセプタ(4)上に前記高融点金属の堆積した領域を覆う大きさのウェーハ(6)を載置して、前記石英サセプタ(4)を加熱することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
