半導体装置を形成する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大橋邦彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-529752
公開番号（公開出願番号）：特表2002-502126
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2002年01月22日
要約：

【要約】半導体装置の形成において、酸化層を形成する諸ステップを含む処理方法が提供されている。実施方法は一連の酸化ステップを含み、光学的な介在クリーニングが酸化後の任意のコンディショニング・ステップと共に伴われる。好適実施例において、これら諸ステップはクラスター化され、それらクラスター化されたプロセス・チャンバー間の移送は窒素或は真空等の制御された環境内で執り行われる。ある種の実施例において、本方法は、フラッシュ型EEPROMに対するトンネル酸化物等の装置の一部として、或は、一般的なゲート酸化物として使用される酸化層を提供する。代替的には、これら諸ステップは酸化を通じて基板の様々なレベルを形作り、それによって埋め込まれたメモリ・アーキテクチャを可能としている。酸化ステップ間のクリーニングはより大きく欠陥から解放された酸化層を提供するか、或は、より大きく欠陥から解放された基板レベルへのアクセスを提供する長所を提示する。

請求項（抜粋）：

製造過程における半導体装置の表面に対して誘電体を設ける方法であって、前記表面を洗浄する段階と、前記表面上に、酸化物及びオキシニトライドを含むグループから選択された物質を形成する段階と、前記物質の一部を除去する段階と、の諸段階を含む装置。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , H01L 21/28 , H01L 21/304 645

FI (4件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 S , H01L 21/28 , H01L 21/304 645 D

Fターム (16件)：

4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104GG16 , 5F058BA06 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD15 , 5F058BE03 , 5F058BE04 , 5F058BF55 , 5F058BF56 , 5F058BF62 , 5F058BF64 , 5F058BF78 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭59-028369
特開平1-319944
不揮発性記憶素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-062257 出願人：ローム株式会社

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