電子写真用光受容部材

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-109325
公開番号（公開出願番号）：特開平9-297421
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】導電性支持体と、該導電性支持体の表面上に、シリコン原子を母体として水素原子および/またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなり光導電性を示す光導電層を有する光受容層とを少なくとも有する光受容部材において、帯電能の向上と温度特性ならびに光メモリーの低減を高次元で両立し、優れた電位特性、画像特性を有する光受容部材を提供する。【解決手段】光吸収スペクトルの指数関数裾から得られる特性エネルギー(Eu)を50meV以上55meV以下とし、さらに、水素原子および/またはハロゲン原子の含有量(Ch)が10原子%以上20原子以下、光学的バンドギャップ(Eg)が1.65eV以上1.75eV以下である第一の層領域と、Chが25原子%以上35原子%以下、Egが1.8eV以上1.85eV以下である第二の層領域を備えているように光導電層を構成する。

請求項（抜粋）：

水素原子および/またはハロゲン原子を含有し、シリコン原子を母体とするアモルファス材料からなる光導電層を備えた電子写真用光受容部材において、該光導電層は、光子エネルギー(hν)を独立変数として光吸収スペクトルの吸収係数(α)を従属変数とする式(I)1nα=(1/Eu)・hν+α1 (I)で表される関数の直線関係部分(指数関数裾)から得られる特性エネルギー(Eu)を50meV以上55meV以下とし、さらに、水素原子および/またはハロゲン原子の含有量(Ch)が10原子%以上20原子%以下、光学的バンドギャップ(Eg)が1.65eV以上1.75eV以下である第一の層領域と、Chが25原子%以上35原子%以下、Egが1.8eV以上1.85eV以下である第2の層領域を備えてなることを特徴とする電子写真用光受容部材。

IPC (5件)：

G03G 5/08 316 , G03G 5/08 301 , G03G 5/08 313 , G03G 5/08 314 , G03G 5/08 315

FI (5件)：

G03G 5/08 316 , G03G 5/08 301 , G03G 5/08 313 , G03G 5/08 314 , G03G 5/08 315

前のページに戻る