特許
J-GLOBAL ID：200903070751491003
集積型薄膜太陽電池およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056955
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252490
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 特性が高い集積型薄膜太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板11と、絶縁性基板11上に形成された下部電極膜12、半導体膜13および上部電極膜14とを備える。下部電極膜12、半導体膜13および上部電極膜14は、それぞれがストライプ状の溝12a、13aおよび14aによって短冊状に分割されており、複数のユニットセル15を形成している。下部電極膜12の溝12aと半導体膜13の溝13aとが、ユニットセル15の長手方向と平行に、部分的に重なっている。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に、2以上の太陽電池ユニットセルを前記太陽電池ユニットセルが直列接続するように形成する集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、前記絶縁性基板上に下部電極膜を形成したのち、前記下部電極膜に連続発振のレーザ光を照射することによって前記下部電極膜の一部をストライプ状に除去して前記下部電極膜を短冊状に分割する第1の工程と、前記下部電極膜上に、pn接合を含む半導体膜を形成したのち、前記半導体膜に連続発振のレーザ光を照射することによって前記半導体膜の一部をストライプ状に除去して前記半導体膜を短冊状に分割する第2の工程と、前記半導体膜および前記半導体膜が除去されて露出している前記下部電極膜上に上部電極膜を形成したのち、前記上部電極膜の一部をストライプ状に除去して前記上部電極膜を短冊状に分割する第3の工程とを含み、前記下部電極膜が除去された部分と前記半導体膜が除去された部分とが、前記太陽電池ユニットセルの長手方向と平行に、部分的に重なっているかまたは隣接していることを特徴とする集積型薄膜太陽電池の製造方法。
Fターム (11件)：
5F051AA09
, 5F051AA10
, 5F051CB28
, 5F051DA03
, 5F051DA20
, 5F051EA02
, 5F051EA11
, 5F051EA16
, 5F051FA02
, 5F051FA04
, 5F051GA03
