特許

J-GLOBAL ID：200903070756504774

半導体記憶装置

発明者： 島田 勝人
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001443
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190797
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 PZT305の周りを拡散防止膜である窒化珪素膜304で囲み、PZTの製造工程中および、半導体記憶装置動作時でのPZT305の特性劣化を防ぎ、PZT305を挟む上下の窒化珪素膜304の膜厚を30A以下とし、キャパシタの容量30fF以上を確保することを目的とする。【構成】 MOSトランジスタが集積化されたシリコン基板上に窒化珪素膜304で周りを囲まれたPZT305が集積化されている。

請求項（抜粋）：

強誘電体膜が能動素子の形成された同一半導体基板上に集積された半導体記憶装置に於て、前記強誘電体膜のまわりに窒化珪素膜が具備されており、前記強誘電体膜の上下に配置された前記窒化珪素膜の膜厚が30A以下であることを特徴とする半導体記憶装置。