特許

J-GLOBAL ID：200903070764035406

磁気抵抗メモリ

発明者： 尾上 正樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318350
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124648
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 磁性層の酸化が無く、すなわち酸化による磁性層の磁性劣化が生じず、素子を微細化した場合であっても良好な磁気抵抗変化が得られる磁気抵抗メモリを提供する。【解決手段】 第1磁性層3と第2磁性層5が非磁性層(絶縁層4)を介して積層されてなる磁気抵抗効果膜の側面に、窒化物からなる絶縁体7を形成したこと特徴とする磁気抵抗メモリ。

請求項（抜粋）：

第1磁性層と第2磁性層が非磁性層を介して積層されてなる磁気抵抗効果膜の側面に、窒化物からなる絶縁体を形成したこと特徴とする磁気抵抗メモリ。

IPC (8件)：

H01L 27/105 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08

FI (9件)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 H ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (18件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD54 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10