特許
J-GLOBAL ID：200903070775010294
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-040878
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243666
出願日： 1992年02月27日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 サージ耐圧が大きい半導体レーザ装置を提供すること。【構成】 GaAs基板上101に複数の半導体薄膜102〜110を積層し、これらの薄膜内に活性領域を形成すると共に、光の導波方向に共振器端面を形成した半導体レーザ装置において、GaAs基板101の面方位を(100)から〈01-1〉方向に5°傾けることにより、端面破壊光出力よりも低い光出力で光導波モード(光モード或いは横モード9を変形させ、端面破壊に至る電流値を上昇させたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の半導体薄膜を積層し、該薄膜内に活性領域を形成すると共に、光の導波方向に共振器端面を形成した半導体レーザ装置において、端面破壊光出力よりも低い光出力で光導波モードを変形させ、端面破壊に至る電流値を上昇させてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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