特許

J-GLOBAL ID：200903070777419769

薄膜作成方法及び装置

発明者： 明田川 賢一 ,  酒井 純朗 ,  辰巳 徹 ,  村上 俊一 ,  室田 裕義
出願人/特許権者： アネルバ株式会社 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209883
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100727
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 この発明は真空容器内に反応ガスを供給し、気相中での分子間の相互作用反応が起らない圧力領域で反応ガスの利用効率を向上させることを目的としたものである。【解決手段】 真空容器内で、基板に対して反応ガス分子を供給して、基板の表面に薄膜を作成させるようにした薄膜作成方法において、薄膜作成時の真空容器内圧力を気相反応が実質的に起こらない圧力範囲に設定し、ガスソースから供給される反応ガスの一次分子に加えて、真空容器の真空側露出壁で散乱された反応ガス分子を用いて薄膜作成を行うことを特徴とする薄膜作成方法。

請求項（抜粋）：

真空容器内で、基板に対して反応ガス分子を供給して、基板の表面に薄膜を作成させるようにした薄膜作成方法において、薄膜作成時の真空容器内圧力を気相反応が実質的に起こらない圧力範囲に設定し、ガスソースから供給される反応ガスの一次分子に加えて、真空容器の真空側露出壁で散乱された反応ガス分子を用いて薄膜作成を行うことを特徴とする薄膜作成方法。