特許

J-GLOBAL ID：200903070779611969

プラズマエッチング方法

発明者： 縄田 誠 ,  福山 良次 ,  金井 三郎 ,  佐藤 佳恵 ,  伊東 哲
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-292404
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129623
出願日： 1991年02月08日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】本発明の第1の目的は、弗化炭素ガスのプラズマによるシリコン酸化膜のエッチング処理において、エッチングガス条件制御による限界を打破して下地膜であるシリコン膜との選択比を向上させることができるプラズマエッチング方法を提供することにある。【解決手段】ガス供給装置から導入された弗化炭素ガスがマイクロ波発振器からのマイクロ波電界とソレノイドコイル13による磁界との作用によりプラズマ化されるプラズマ発生室10の側壁内には熱媒体室30が形成されている。シリコン膜とシリコン酸化膜とが積層された試料40の上記プラズマによるエッチング処理時に、熱媒体室30内には、熱媒体供給装置から熱媒体が供給される。これにより、プラズマに曝されるプラズマ発生室10の内壁面は加温される。

請求項（抜粋）：

エッチングガスとして弗化炭素ガスを用い該ガスをプラズマ化する工程と、シリコン膜とシリコン酸化膜とが積層された試料の前記シリコン酸化膜を前記プラズマによりエッチング処理する工程と、該エッチング処理時に前記プラズマに曝される前記プラズマの発生室を加温する工程とを有することを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 R ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-205022
  
• 特開平2-268429
  
• 特開平1-184828
  
• 特開昭62-256433