酸性基含有ポリベンズイミダゾール系化合物を含む組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-377857
公開番号（公開出願番号）：特開2005-139318
出願日： 2003年11月07日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】簡潔な製膜プロセスで成形できるとともに、高温高湿下での膜膨潤を抑えながら高いイオン伝導特性を示すとともに、メタノール透過性が低い高分子電解質膜を得る。【解決手段】特定の構造を有するスルホン酸基含有ポリアリーレンエーテル系化合物と特定の酸性基含有ポリベンズイミダゾール系化合物を含む組成物により、上記特性に優れた高分子電解質膜を得ることができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記の式(1)で示される構成成分を含むポリベンズイミダゾール系化合物とともに、下記の式(2)および下記の式(3)で示される構成成分を含むポリアリーレンエーテル系化合物を含有していることを特徴とする組成物。

IPC (10件)：

C08G73/18 , C08G65/34 , C08J5/22 , C09J171/10 , C09J179/04 , C25B13/08 , H01B1/06 , H01B13/00 , H01M8/02 , H01M8/10

FI (10件)：

C08G73/18 , C08G65/34 , C08J5/22 , C09J171/10 , C09J179/04 A , C25B13/08 301 , H01B1/06 A , H01B13/00 Z , H01M8/02 P , H01M8/10

Fターム (41件)：

4F071AA51 , 4F071AA58 , 4F071AF08 , 4F071AF10 , 4F071AF13 , 4F071AF37 , 4F071AH15 , 4F071AH19 , 4F071FA05 , 4F071FA08 , 4F071FB05 , 4F071FC01 , 4J005AA23 , 4J005AA24 , 4J040EE061 , 4J040EH001 , 4J043PA04 , 4J043PC186 , 4J043QB41 , 4J043QB64 , 4J043RA42 , 4J043SA82 , 4J043TA75 , 4J043ZA04 , 4J043ZA12 , 4J043ZA41 , 4J043ZA44 , 4J043ZB11 , 4J043ZB13 , 4J043ZB14 , 4J043ZB49 , 5G301CD01 , 5G301CE01 , 5H026AA08 , 5H026BB03 , 5H026BB04 , 5H026CX05 , 5H026EE18 , 5H026HH03 , 5H026HH05 , 5H026HH08

引用特許：

出願人引用 (6件)

USP-5312895号公報
USP5,498,784号公報
高分子電解質膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-142226 出願人：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト

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