特許

J-GLOBAL ID：200903070786777414

高周波集積回路装置

発明者： 山口 恵一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-366807
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195935
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】FETのピンチオフ電圧のばらつきに対してゲートバイアス電圧を最適値に自動調整でき、しかもゲートバイアス回路にバイポーラトランジスタを必要としない高周波集積回路装置を提供する。【解決手段】デプレッション型FET16を周波数変換回路の能動素子に用いた高周波集積回路装置において、ソースおよびゲートが互いに接続されると共に直流電圧源に接続されたデプレッション型FET18と、FET18のドレインと基準電位点との間に接続された、ゲート・ソース間電圧が零のときの相互コンダクタンスの逆数1/gm0の抵抗値を持つバイアス電圧発生用抵抗19とによりFET16のゲートバイアス回路を構成する。

請求項（抜粋）：

ソースが基準電位点に接続され、ドレインが出力端子に接続された、周波数変換回路を構成するデプレッション型の第1の電界効果トランジスタと、ソースおよびゲートが互いに接続されると共に直流電圧源に接続されたデプレッション型の第2の電界効果トランジスタと、前記第2の電界効果トランジスタのドレインに一端が接続され、他端が基準電位点に接続された、ほぼ前記第2の電界効果トランジスタのゲート・ソース間電圧が零のときの相互コンダクタンスの逆数の抵抗値を持つバイアス電圧発生用抵抗と、前記第2の電界効果トランジスタのドレインと前記バイアス電圧発生用抵抗との接続点の電圧を前記第1の電界効果トランジスタのゲートにバイアス電圧として供給するバイアス電圧供給手段とを備えたことを特徴とする高周波集積回路装置。

IPC (3件)：

H03F 3/193 ,  H01P 1/00 ,  H03F 3/60

FI (3件)：

H03F 3/193 ,  H01P 1/00 Z ,  H03F 3/60

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-254192   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-188704