特許
J-GLOBAL ID:200903070795773154

半導体性の静電気散逸性ポリマー複合材料およびその製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宇井 正一 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-270386
公開番号(公開出願番号):特開平6-279592
出願日: 1993年10月28日
公開日(公表日): 1994年10月04日
要約:
【要約】【目的】 半導体性の静電気散逸性ポリマー複合材料を提供する。【構成】 本発明の半導体性の静電気散逸性ポリマー複合材料は、a)絶縁性ポリマー樹脂、およびb)5〜35容積%の少なくとも一種の高アスペクト比の充填剤であって、その充填剤上に10Å〜1000Åの高導電性金属の無機の薄膜層およびその上に更なる絶縁性の金属酸化物の層を有し、前記の層が平均で2Å〜200Åのコーティングの厚さを有するような充填剤、を含む。この複合材料は1x104 〜1x1011オーム/スクエアーの体積抵抗率を有する。
請求項(抜粋):
a)エポキシ、ウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテル、ポリオレフィン、エチレン-プロピレンコポリマー、ポリプロピレン-マレイン酸無水物、ポリスチレン、スチレン-アクリロニトリルコポリマー、アクリロニトリル-ブタジエン-スチレンエラストマー、ポリメチルメタクリレート、エチレンビニルアセテート、エチレンアクリル酸コポリマー、ビニルクロリド-ポリプロピレンコポリマー、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアリールスルホンおよびポリプロピレンオキシド改質ポリエーテルスルホンからなる群より選ばれる絶縁性ポリマー樹脂、並びにb)5〜35容積%の少なくとも一種の高アスペクト比の充填剤であって、その上に10Å〜1000Åの高導電性金属の無機の薄膜および更にその上に絶縁性金属酸化物の層を有し、前記の層が平均で2Å〜200Åのコーティングの厚さを有し、前記の充填剤が中空のまたは固体のグラスファイバー、ポリマー繊維、セラミック繊維、マイカ、炭素およびグラファイト繊維、並びに粉砕されたガラスの充填剤の群から選ばれ、前記の充填剤が1〜100の平均のアスペクト比を有し、複合材料の体積抵抗率が1x104 〜1x1011オーム-センチメートルとなるような充填剤、を含む半導体性の静電気散逸性ポリマー複合材料。
IPC (3件):
C08J 5/10 ,  C08K 7/02 KCJ ,  C08L101/00

前のページに戻る