特許

J-GLOBAL ID：200903070795846070

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： 小水流 英昭
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-325564
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160170
出願日： 1991年12月10日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の組立工程における前処理の改良に関し、簡単且つ容易にリードフレームや半導体チップやモールド樹脂の表面の汚染を除去することが可能となる半導体装置の製造方法及び製造装置の提供を目的とする。【構成】 樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体チップを搭載するリードフレーム1のダイパッド1aに、アルゴン酸素プラズマ或いは水素還元プラズマによるドライプロセス処理を施した後、この半導体チップをこのダイパッド1aに固着するように構成する。

請求項（抜粋）：

樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体チップ(2) を搭載するリードフレーム(1) のダイパッド(1a)に、アルゴン酸素プラズマ或いは水素還元プラズマによるドライプロセス処理を施した後、前記半導体チップ(2) を前記ダイパッド(1a)に固着することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/50