特許

J-GLOBAL ID：200903070796488500

配線の形成方法

発明者： 辰巳 哲也 ,  佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239074
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089897
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 微細コンタクトホールにおいても良好な配線コンタクトが得られる配線の形成方法を提供する。【構成】 コンタクトホール開口後、Ti膜4を表面に沿って全面に形成し、ブランケットW膜5を形成する。このブランケットW膜5をエッチバックしてホール底部周縁のみに残し、その上にチタン膜6,Al膜を順次形成する。このように、ホール底部周縁にWを残すことによりチタン膜6の膜厚を厚くすることが可能となり、バリア性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成した拡散層上または配線層上の絶縁膜に選択的に接続孔を形成する工程と、第1の高融点金属からなる密着層を表面に沿って全面に形成する工程と、第2の高融点金属層を前記接続孔を少なくとも埋めるように形成し、該第2の高融点金属層をエッチバックして前記接続孔底縁部のみに残留させる工程と、前記第1の高融点金属系層を表面に沿って形成する工程と、前記半導体基板を加熱しながらAl系金属をスパッタリングして前記接続孔を少なくとも埋め込む工程を備えることを特徴とする配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/90