特許
J-GLOBAL ID：200903070797855263
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-212832
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061473
出願日： 1992年08月10日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 同一基板上にレーザーと変調器とが集積された半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 有機金属分子線エピタキシー法により、光を単結晶基板上に部分的に照射しながら基板上に半導体薄膜を成長させて、同一基板上にレーザー構造および変調器構造を成長させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に有機金属エピタキシー法を用いてIII-V族半導体薄膜の多重量子井戸構造層を形成する半導体装置の製造方法において、前記多重量子井戸構造層を構成する井戸層の成長時もしくは障壁層の成長時に同期して、該成長層に光照射を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/15
, H01S 3/103
, H01S 3/18
