特許

J-GLOBAL ID：200903070799141195

半導体製造方法ならびに半導体製造装置

発明者： 渡辺 智司 ,  須田 敦彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  国際電気株式会社
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-068199
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265884
出願日： 1998年03月18日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】上下電極の間隔を狭くした場合でもラジカルのガス供給ヘッドへの侵入を防止し、成膜速度のばらつきを抑制可能な半導体製造方法ならびに半導体製造装置を提供する。【解決手段】上部電極2は中央部にガス供給管21が接続され、上部電極2内に分散流路22が設けられる。抵抗板23は互いにほぼ平行に配置される上板23a、下板23bから構成される。上板23aと下板23bとの間には絞り部26が形成され、分散流路22内に供給されたガスは上板23aのスリット25a内を上板23aに垂直な方向に流れ、絞り部26内を上板23aに水平な方向に流れ、スリット25b内を下板23bに垂直な方向に流れ、絞り部26を流れるガスはウエハ4の法線方向の速度成分がゼロになる。抵抗板23を噴出するガスの流速に対して絞り部26での流速を2倍以上にすれば成膜速度のばらつきを抑え、かつラジカルが上部電極2内部に入り込まない条件を満足できる。

請求項（抜粋）：

反応室とガス供給路とを仕切る抵抗板にガスを通過させる複数の流路を設け、上記流路の途中に設けた絞り部を通過するガスの流速が、流路出口から噴出する際の抵抗板法線方向へのガス流速より速くなるように流路を構成し、上記抵抗板を介して被加工物であるウエハにガスを供給しながら処理することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B