特許
J-GLOBAL ID：200903070806126482
接合ゲート型電界効果トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-195361
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041392
出願日： 1991年08月05日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】素子特性の再現性を向上し、ゲート電圧に対して一様なトランスコンダクタンスを実現し、さらに利得を向上した新規な接合ゲート型電界効果トランジスタを提供する。【構成】接合ゲート型電界効果トランジスタにおいて、第1導電型の半導体層12、13、14内に設けられた逆の導電型の半導体領域16、17で挾まれた、半導体層12、13より高濃度で薄い半導体層13が能動層として動作する。【効果】しきい値電圧の再現性を向上することができる。また、能動層の厚さが薄いので、全ゲート電圧の範囲で等しいトランスコンダクタンスを実現できる。さらに、能動層の下にも逆の導電型の半導体領域を設けることにより、基板側の能動層界面における絶縁性を向上するので、利得を向上することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に第1の導電型の半導体層が形成され、上記第1の導電型と逆の第2の導電型の半導体領域が上記第1の導電型の半導体層の表面から所定の深さに形成され、上記第2の導電型の半導体領域の下の上記第1の導電型の半導体層が能動層として動作する接合ゲート型電界効果トランジスタにおいて、上記第1の導電型の半導体層がその表面側から順次第1、第2、第3の半導体層を含んで成り、上記第2の半導体層は、上記第1および第3の半導体層より、不純物濃度が高くかつ薄く形成され、かつ、上記第2の導電型の半導体領域が上記第1の半導体層の表面から上記第2の半導体層に隣接する領域に形成され、上記第2導電型の半導体領域の下の上記第2の半導体層が能動層として動作することを特徴とする接合ゲート型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/337
, H01L 29/808
