特許
J-GLOBAL ID：200903070809698240
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-104123
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289050
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 基板上にエピ層を有する基板であっても,十分な静電耐量を確保して静電気から半導体素子を保護する。【解決手段】 P+層1上にP-エピ層2が形成され,P-エピ層2中にNウェル3が形成され,Nウェル3はPウェル4を内包している。Nウェル3は,N+拡散部5aを介して電源電圧電位Vccに接続され,Pウェル4はP+拡散部6a,N+拡散部5bを介して接地電位Vssに接続され,N+拡散部cは入出力パッド9に接続され,N+拡散部5b-Pウェル4-N+拡散部5cによってラテラルバイポーラトランジスタTrが構成される。フィールド酸化膜8上には,入出力パッド9に接続されるゲート電極11が設けられ,Pウェル4上に,N+拡散部5bをソース,フィールド酸化膜8をゲート,N+拡散部5cをドレインとするフィールドトランジスタFTが構成される。
請求項（抜粋）：
入出力回路に保護用素子を有する半導体装置であって,基板となるウエハは,第1の伝導型の高濃度の不純物を有する基板上に,当該第1の伝導型の低濃度の不純物を有するエピ層が形成され,前記エピ層上に,前記第1の伝導型とは逆の第2の伝導型のウェルが形成され,前記第2の伝導型のウェル内には,第1の伝導型のウェルが形成され,さらに前記第2の伝導型のウェルは,当該第2の伝導型のウェルに形成された第2の伝導型の高濃度の不純物拡散部を有し,当該第2の伝導型の高濃度の不純物拡散部は電源電圧電位に接続され,前記第1の伝導型のウェルは,当該第1の伝導型のウェルに形成された第2の伝導型の高濃度の不純物拡散部を複数有し,これら第2の伝導型の高濃度の不純物拡散部は絶縁物によって隔離され,前記第2の伝導型の高濃度の不純物拡散部のうちの一の不純物拡散部は接地電位に接続され,他の不純物拡散部は入出力パッドに接続され,前記第2の伝導型の高濃度の不純物拡散部と前記第1の伝導型のウェルとで,ラテラル方向のバイポーラトランジスタを構成してなり,さらに前記第2の伝導型の高濃度の不純物拡散部を隔離している絶縁物の上にゲート電極が形成され,当該ゲート電極は前記入出力パッドに接続されると共に,このゲート電極と前記第2の伝導型の高濃度の不純物拡散部とでフィールドトランジスタを構成してなることを特徴とする,半導体装置。
IPC (2件)：
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