特許

J-GLOBAL ID：200903070810145181

半導体モジュールの接合部の検査方法および検査装置

発明者： 古 谷 健 司 ,  篠 原 和 彦 ,  櫛 引 圭 子 ,  小 林 正 和
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 小塩 豊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-115652
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307822
出願日： 1998年04月24日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 特殊な材料の調製などを必要とせずに、また、半導体モジュールを破壊するおそれのない低電流で、ペルチェ効果を利用して、半導体素子と電極との接合状況を極めて簡便かつ迅速にしかも非接触で検査できるようにする。【解決手段】 測定対象の半導体モジュール(熱電モジュール)1に電流を流すための通電回路16と、通電したときに発生するペルチェ熱およびジュール熱による温度変化を撮像する赤外線カメラ(赤外線撮像装置)17と、赤外線カメラ(赤外線撮像装置)17により撮像された赤外線画像を画像処理して表示するモニタ(画像処理装置)18を備えた半導体モジュールの接合部の検査装置11を用いて、測定対象の半導体モジュール1に電流を流し、通電したときの半導体素子のペルチェ熱による吸/発熱およびジュール熱による発熱に起因する半導体モジュール表面の温度変化を赤外線カメラ(赤外線撮像装置)17で検出して、半導体素子/電極接合部の欠陥位置を特定する。

請求項（抜粋）：

測定対象の半導体モジュールの接合部を検査するに際し、前記半導体モジュールに電流を流し、通電したときの半導体素子のペルチェ熱による吸/発熱およびジュール熱による発熱に起因する半導体モジュール表面の温度変化を検出して、半導体素子/電極接合部の欠陥位置を特定することを特徴とする半導体モジュールの接合部の検査方法。

IPC (3件)：

H01L 35/28 ,  H01L 21/66 ,  H01L 35/32

FI (3件)：

H01L 35/28 Z ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 35/32 A