特許

J-GLOBAL ID：200903070811994930

配線基板およびそれを用いた半導体素子検査装置

発明者： 春園 祐一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-282794
公開番号（公開出願番号）：特開2006-098146
出願日： 2004年09月28日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】 半導体ウェハ上に形成された多数の半導体素子の回路を、精度良く位置合わせを行なうことが可能な、一括して電気検査が行える大型の配線基板を提供すること。【解決手段】 絶縁基板1の上面に上側端子2が形成されているとともに絶縁基板1の下面に上側端子2に電気的に接続された下側端子3が形成されており、絶縁基板1の外周部に貫通穴4が複数形成されており、絶縁基板1の下面の貫通穴4の開口の周囲に、発光素子の搭載部5が設けられている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板の上面に上側端子が形成されているとともに該絶縁基板の下面に前記上側端子に電気的に接続された下側端子が形成されており、前記絶縁基板の外周部に貫通穴が複数形成されており、前記絶縁基板の下面の前記貫通穴の開口の周囲に、発光素子の搭載部が設けられていることを特徴とする配線基板。

IPC (3件)：

G01R 31/26 ,  G01R 1/06 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

G01R31/26 J ,  G01R1/06 E ,  H01L21/66 B

Fターム (19件)：

2G003AA10 ,  2G003AG04 ,  2G003AG08 ,  2G003AG16 ,  2G003AH00 ,  2G003AH05 ,  2G011AB06 ,  2G011AC06 ,  2G011AE03 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106BA04 ,  4M106CA01 ,  4M106DD05 ,  4M106DD10 ,  4M106DD13 ,  4M106DD16 ,  4M106DD30

引用特許：

出願人引用 (2件)

• プローブカード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-315027   出願人：松下電器産業株式会社
• ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-323031   出願人：松下電器産業株式会社