特許
J-GLOBAL ID：200903070813498875
プラズマリアクタ内の半導体ウエハ処理用改善フォーカスリング
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079075
公開番号（公開出願番号）：特開平8-102460
出願日： 1995年04月04日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハを処理する為のプラズマリアクタ内で、ウエハ周辺部付近のチャンバにおけるガス流速度を減少し、ウエハ周辺部にわたるプラズマ均一性を改善すること。【構成】 一態様において、本発明は半導体ウエハ(110)を処理するためのプラズマリアクタにおいて、ウエハ(110)周辺部付近のプロセスエッチング速度を減じる為にウエハ(110)の周辺部を囲むペデスタルフォーカスリング(114)と、そこから粒子汚染の通路を許容するペデスタルフォーカスリング(114)を通る複数の開口とを包含し、もって、ウエハ(110)周辺部付近の粒子汚染蓄積を減じる。別の態様において、チャンバ壁の腐食性磨耗を減じるために、除去可能なガス分配フォーカスリング(114)はプラズマリアクタの側壁を半導体ウエハ(110)の処理に伴う反応ガスから保護する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハを処理するためのプラズマリアクタであって、前記リアクタは、前記ウエハの周辺部を囲むペデスタルフォーカスリングと、粒子汚染のそこからの通過を許容する前記ペデスタルフォーカスリング内の通路手段と、を有するプラズマリアクタ。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
